mb2s ... MB10S mb2s ... MB10S slim profile surface mount si-bridge-rectifiers si-brckengleichrichter fr die oberfl?chenmontage mit ?schlanker bauh?he version 2013-09-04 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 0.5 a alternating input voltage eingangswechselspannung 140...700 v plastic case slim profile 1.6mm kunststoffgeh?use schlanke bauh?he 1.6mm ~ to-269aa minidil weight approx. C gewicht ca. 0.22 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped and reeled standard lieferform gegurtet auf rolle green molding halogen-free maximum ratings grenzwerte type typ max. alternating input voltage max. eingangswechselspannung repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung marking kennzeichnung 1 ) v vrms [v] v rrm [v] 2 ) laser 3 ) print mb2s 140 200 mc ym mb2s mb4s 280 400 me ym mb4s mb6s 420 600 mj ym mb6s mb8s 560 800 mk ym mb8s MB10S 700 1000 mm ym MB10S repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 6.4 a 4 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 32/35 a rating for fusing, t < 10 ms grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 5.1 a 2 s operating junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+150c 1 bar denotes dc side; type and date coding at laser marking or print marking of only type name balken kennzeichnet ?gleichstromseite; typ- und datumskodierung bei laserbeschriftung oder bestempelung mit nur dem typennamen 2 valid per diode C gltig pro diode 3 ym designates two digit datecode C ? ym bezeichnet den zweistelligen datumscode 4 max. temperature of the terminals t t = 100c C max. temperatur der anschlsse t t = 100c ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 6.5 +0.2 5.1 +0.2 0 . 2 1 . 6 0 . 1 xxxx 1 . 5 0 . 1 0.7 2.54 3 . 9 - 0 . 1 4.7 0.1 + ~ ~
mb2s ... MB10S characteristics kennwerte max. average forward rectified current dauergrenzstrom t a = 40c i fav i fav 0.5 a 1 ) 0.8 a 2 ) forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 0.4 a v f < 1 v 3 ) leakage current C sperrstrom t j = 25c v r = v rrm i r < 5 a thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 75 k/w 1 ) typical junction capacitance typ. sperrschichtkapazit?t c j 15 pf 3 ) 1 mounted on p.c. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal montage auf leiterplatte mit 25 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 mounted on alumina substrate 2500mm2 with 1 mm 2 copper pads at each terminal montage auf aluminium-substrat 2500mm2 mit 1 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 3 valid per diode C gltig pro diode 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 150c j 30a-(1a-1.1v) rated forward current versus ambient temperature zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. i fav [%] 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0
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